Modyfikacja struktur pólprzewodnikowych przy pomocy wiazki elektronów

Modyfikacja czasu zycia nosników mniejszosciowych przy uzyciu wiazki elektronów o wysokiej energii stwarza alternatywe dla tradycyjnej techniki wysokotemperaturowej dyfuzji zlota lub platyny do krysztalów pólprzewodnikowych. Technologia elektronowa pozwala na rozwiazywanie zwyklych trudnosci zwiazanych z dyfuzja, jak i niejednorodny rozklad domieszki i wyzsze prady uplywu.
Glówne korzysci z stosowania wysokoenergetycznych elektronów wynikaja z ich zdolnosci do przenikania gleboko do wnetrza materii. Zostaje wytworzony jednorodny rozklad centrów rekombinacyjnych, a poziom radiacyjnie indukowanej jonizacji spada do poziomu tla natychmiast po wylaczeniu wiazki elektronów. W ten sposób czas przelaczania elementu (przyrzadu) moze byc dostosowany do potrzeb uzytkownika, nawet w gotowych i zamknietych w obudowie elementach mocy.
Modyfikowane wiazka elektronów szybkoprzelaczajace tyrystory, triaki i diody mocy sa stosowane wszedzie tam, gdzie wazna jest dlugoczasowa stabilnosc i skutecznosc energooszczednych elementów pólprzewodnikowych, np. jako bezprzerwowe zasilacze do komputerowych centrów przetwarzania danych oraz zasilacze do wyposazenia reanimacyjnego w szpitalach. Znalazly równiez zastosowanie w metalurgii, górnictwie, transporcie, urzadzeniach domowego uzytku itp.
Nalezy podkreslic, ze tego rodzaju technologia nie wymaga, poza akceleratorami, dodatkowych inwestycji ani istotnych zmian procesu produkcyjnego poza samym napromienieniem.

English